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信息技術(shù)的飛速發(fā)展對電子設(shè)備提出了新的要求。因現(xiàn)階段市場的普遍需求，小型化和具有高功能密度集成的電子設(shè)備成為未來發(fā)展主流趨勢。

然而，由于集成電子設(shè)備在運行過程中會產(chǎn)生大量熱量，因此有效的散熱對于良好的性能、高穩(wěn)定性和長使用壽命至關(guān)重要。

為解決上述問題，導熱材料是一種可廣泛解決電子設(shè)備散熱問題的關(guān)鍵技術(shù)之一. 特別是，聚合物基材料因其低成本、易加工性和耐化學性而受到廣泛關(guān)注。

駕駛艙內(nèi)部的電子設(shè)備

其中，填料型聚合物復合材料制備簡單，并且可以實現(xiàn)高導熱性，但填料類型和填料本身的導熱率，是影響導熱聚合物復合材料的主要因素。

另外，填料形態(tài)和尺寸，將作為主要影響復合材料導熱性的主要因素。經(jīng)國外研究案例，認為一維結(jié)構(gòu)可以比零維結(jié)構(gòu)更有效地提高導熱系數(shù)，并且二維結(jié)構(gòu)同時具有提高導熱系數(shù)和強化基體的優(yōu)勢。這是由于大面積微觀結(jié)構(gòu)可以更容易的形成導熱網(wǎng)絡(luò)，因此在低含量下可以更有效地提高導熱率。

一般而言，導熱系數(shù)隨著填料含量的增加而增加，一旦填料含量超過滲濾閾值 ，導熱系數(shù)會迅速增加。然而，高含量的填料也會帶來其他負面影響，例如增加制造成本，導致機械性能大幅下降 。填料的表面改性：填料的改性或功能化將避免團聚，提高在基體中的分散性，由于填料與基體之間的強相互作用，也可以降低界面熱阻。

大連義邦引入的BNNano氮化硼納米管具有獨特的三維結(jié)構(gòu)

經(jīng)國內(nèi)外研究，由于BNNT具有優(yōu)異的耐熱性、熱穩(wěn)定性、化學穩(wěn)定性、絕緣性能和導熱性，因此，所制備的復合材料具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、良好的加工性和優(yōu)異的粘結(jié)性能，可用作航空電子領(lǐng)域的熱界面材料。

另外，包裹芯片的材料多為聚合物，原因是聚合物具有優(yōu)異的機械性能，能夠很好的保護芯片，但是它們的導熱性能非常差，聚合物材料本體固有導熱率較低，約為0.2Wm-1K-1，當把氮化硼納米管加入到聚合物中，會提升聚合物導熱性能10倍以上。

傳統(tǒng)的熱界面材料 (TIM) 示意圖

大連義邦引入的BNNano氮化硼納米管（BNNT），是為數(shù)不多已形成商業(yè)化量產(chǎn)的高純度氮化硼納米管粉末，純度大于90%。并且，通過特殊的制備工藝，氮化硼納米管微觀具有特有的三維結(jié)構(gòu)，對比二維結(jié)構(gòu)，可大幅度的提升交聯(lián)性，這種獨特的氮化硼納米管與基材混合時產(chǎn)生弱的化學鍵，既增強了強度，又提升導熱性能。同時，三維結(jié)構(gòu)有助于增強與集體材料之間的交聯(lián)，而又限制了范德華力，不會產(chǎn)生團聚現(xiàn)象。與二維結(jié)構(gòu)的氮化硼納米片相比，可大幅降低添加比例，不會導致導熱材料變粘稠，從而增強其工藝操作性。

大連義邦氮化硼納米管粉末

同時，該材料有著2400w/m.k的導熱率，超強的機械性能，同時在空氣中的熱穩(wěn)定性高達900攝氏度。在國外已將氮化硼納米管粉末與水溶性的化學物質(zhì)混合在一起，涂覆于晶圓片的背面，不僅實現(xiàn)了比普通TIMs更好的散熱效果，并且比TIMs具有更好貼合度。使芯片產(chǎn)生的熱量更迅速的散發(fā)出去，從而達到快速散熱的功能。

此外，采用氮化硼納米管作為填料，可使微電子器件的體積更小，滿足電子器件微型化的特點，且因其超高的導熱率和耐高溫性，也使器件能在高壓、高功率和高溫下運行，可以達到迅速散熱的功效。

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